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比央视还不靠谱iPhone6Plus召回纯属谣言-【新闻】

发布时间:2019-03-12 20:04:25 阅读: 来源:多路阀厂家

iPhone6 Plus自从发布以来,就一直处于舆论的风口浪尖上,经历过“弯曲门”“头发门”,最近它又陷入了召回门里面。此前有港媒报道,iPhone6 Plus的将会被苹果召回。而现在又有新情况,iPhone6 Plus的TLC NAND Flash存储单元并没有质量问题,说召回更是子虚乌有的事情。

iPhone6 Plus用的真是TLC?

首先了解一下iPhone6 Plus所用的闪存芯片。从之前iPhone6 Plus的拆解中,我们可以看到其所用的闪存芯片规格:海力士H2JTDG8UD1BMS。

这块记忆体属于iPhone6 Plus专属型号,所以外界对它的分析比较少。不过笔者还是在Techinsight网站上找到了它的详细数据:16nm制程,MLC存储单元。这项资料基于扫描电子显微镜(SEM)和投射电子显微镜(TEM)等设备的观测结果给出,可以算是相当权威了。

由此我们认为,报道对iPhone6 Plus的描述是完全失实的,其存储芯片采用的并非三阶单元(TLC),而是多层单元(MLC),与iPhone5s所采用海力士H2JTDG8UD3MBR一致。然后,苹果要为了这个大面积召回iPhone6 Plus?我读书少不要骗我……

就算用了TLC又能咋地?

目前市面上的闪存主要采用SLC(单层存储单元)、MLC(多层存储单元)和TLC(三阶存储单元)三种技术,在读写寿命和成本方面三者依次递减,但它们都是非常成熟的技术,因此数码厂商会根据自家产品的定位和成本决定要用哪种存储单元。TLC每32GB成本约为9-12美元,比SLC的30-35美元和MLC的17美元都要低上不少,而TLC读写寿命约为5000次,是三者之中最低的。那么即使iPhone6 Plus想钱想疯了,硬要配上一个TLC芯片,就真的会出现稳定度差、寿命不足的问题吗?

这里要再次强调一下大家在理解上的一个误区,所谓“XXX次读写寿命”并非指简单的读一次、写一次,而是把整个存储单元进行一次全盘读写一遍才算做一次。举个例子,一块128GB的TLC记忆体,完全读写128GB的数据后,才算消耗了1次寿命,如此的步骤重复5000次,你才有可能把它玩坏,简单地读写1KB、2KB,那种程度连0.001次都算不上。存储容量越大,TLC的寿命就越长。大家可以把它放到实际使用场景中计算一下,在iPhone10出现之前你根本不可能玩坏它的。

再者,存储的稳定性和存储单元用SLC、MLC还是TLC扯不上半毛钱的关系,关键还得看闪存颗粒和主控IC的质量,你就算说iPhone6 Plus可能存在稳定性问题,也不能把责任推卸给TLC。在固态硬盘领域,包括三星840 EVO(500GB)等部分型号在内的很多SSD都在采用TLC单元,这些产品不仅具备很高的可靠性,而且在读写速度方面也不会和MLC拉开明显的差距。

如此看来,那篇报道似乎无论如何都说不通,苹果大面积回收?别闹了。事儿再大有“弯曲门”大么?那时苹果大面积回收了么?

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